Wide Bandgap Semiconductor Power Devices

Fornisce conoscenze approfondite sui dispositivi di potenza a semiconduttore realizzati con materiali Wide Bandgap (WBG), in particolare Carburo di Silicio (SiC) e Nitruro di Gallio (GaN). Il corso copre la fisica dei dispositivi, confrontando i vantaggi dei WBG rispetto al silicio tradizionale, ed esplora architetture come i SiC MOSFET e i GaN HEMT. Si focalizza su produzione, affidabilità e applicazione di questi dispositivi nell'elettronica di potenza ad alta efficienza per veicoli elettrici.